福間教授らの研究グループが、絶縁体接合界面における電気的スピン変換技術を解明しました。

掲載日：2023年07月19日

九州工業大学、山口大学、Purdue University(米国)、Nanyang Technological University(シンガポール)、Indian Institute of Technology Kanpur(インド)の研究グループ(研究代表者:九州工業大学大学院情報工学研究院　教授　福間康裕)は、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)薄膜と窒化アルミニウム(AlN)薄膜の界面(SrTiO3/AlN)に形成される二次元的電子伝導層が電流からスピン流へと効率的に変換し、隣接する磁性体(NiFe)の磁化へとスピン軌道トルクを作用できることを明らかにしました。これにより、今後、スピン軌道トルクを利用した次世代磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)やスピン発振子を利用した人工知能デバイスの開発が進み、スマートフォンをはじめとする様々な情報機器の低消費電力化などが期待されます。