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福間教授らの研究グループが、白金のスピンホール効果の大幅な向上に成功しました。

掲載日:2021年08月09日

九州工業大学、山口大学、Nanyang Technological University(シンガポール)、Inter University Accelerator Center(インド)の研究グループ(研究代表者:九州工業大学大学院情報工学研究院 教授 福間康裕)は、白金薄膜中に硫黄イオンを注入することでスピンホール効果の大幅な向上に成功しました。これにより、今後、スピンホール効果からのスピン軌道トルクを利用した次世代磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)やスピン発振子を利用した人工知能デバイスの開発が進み、スマートフォンをはじめとする様々な情報機器の低消費電力化などが期待されます。

論文の詳細情報
タイトル:Enhanced Spin Hall Effect in S‐Implanted Pt
著 者 名:Utkarsh Shashank, Rohit Medwal, Taiga Shibata, Razia Nongjai, Joseph Vimal Vas,
Martial Duchamp, Kandasami Asokan, Rajdeep Singh Rawat, Hironori Asada,
Surbhi Gupta, Yasuhiro Fukuma
雑 誌:Advanced Quantum Technologies
D O I:10.1002/qute.202000112

※ 本研究は JSPS 科研費 18H01862、18H05953、19K21112 および日本板硝子材料工学助成会 の助成を受けたものです。

詳細は本学のプレスリリースをご覧ください。

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